Принципы, типы и области применения технологии лазерной очистки

Технология лазерной очисткиЭто успешное применение лазерных технологий в инженерной сфере. Основной принцип работы основан на использовании высокой плотности энергии лазеров для обеспечения взаимодействия лазерных лучей с загрязнениями, прилипшими к обрабатываемым деталям. Загрязнения отделяются от подложек за счет мгновенного теплового расширения, плавления, испарения газа и других механизмов. Благодаря высокой эффективности, экологичности и энергосбережению, технология лазерной очистки успешно применяется в очистке пресс-форм для шин, удалении краски с кузовов самолетов, реставрации культурных реликвий и других областях.
 
Традиционные технологии очистки включают механическую фрикционную очистку (пескоструйная обработка, очистка струей воды под высоким давлением и т. д.), химическую очистку от коррозии, ультразвуковую очистку, очистку сухим льдом и многое другое. Эти технологии широко используются в различных отраслях промышленности. Например, пескоструйная обработка позволяет удалять пятна ржавчины металла, заусенцы и защитные покрытия на печатных платах путем выбора абразивов различной твердости. Химическая очистка от коррозии широко применяется для удаления масляной накипи с поверхности оборудования, очистки котлов от накипи и прочистки нефтепроводов. Хотя традиционные методы являются зрелыми, они имеют существенные недостатки: пескоструйная обработка легко повреждает обрабатываемые поверхности, а химическая очистка от коррозии вызывает загрязнение окружающей среды и может вызывать коррозию подложек при неправильном применении. Появление лазерной очистки знаменует собой революцию в технологиях очистки. Благодаря высокой плотности энергии лазеров, их точности и эффективной передаче, лазерная очистка превосходит традиционные методы по эффективности, точности и позиционированию. Она исключает загрязнение окружающей среды, характерное для химической очистки, и не наносит вреда подложкам.
 

Принципы лазерной очистки

 
Что же такое лазерная очистка? Это процесс удаления материалов с твердых (или иногда жидких) поверхностей с помощью лазерного облучения. При низкой плотности энергии лазерного излучения поглощенная энергия нагревает материалы, вызывая испарение или сублимацию. При высокой плотности энергии лазерного излучения материалы обычно превращаются в плазму. Для лазерной очистки обычно используются импульсные лазеры для удаления материалов, хотя лазерные лучи непрерывного действия также могут абляционно воздействовать на материалы с достаточной интенсивностью. Эксимерные лазеры глубокого ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 200 нм в основном используются для фотоабляции.
 
Глубиналазерная энергияПоглощение и количество удаляемого материала за импульс зависят от оптических свойств материала, а также от длины волны лазера и длительности импульса. Общая масса, удаляемая с мишени за импульс, определяется как скорость абляции. Характеристики лазерного излучения, такие как скорость сканирования и охват линии, существенно влияют на процесс абляции.
 

Виды технологий лазерной очистки

 

1) Лазерная химчистка

 
Лазерная химчистка включает в себяПрямое импульсное лазерное облучение заготовок. Загрязнения или подложки поглощают энергию лазера, повышая свою температуру и вызывая тепловое расширение или тепловую вибрацию подложки, что приводит к отделению загрязнений от подложки. Это происходит в двух сценариях: либо поверхностные загрязнения поглощают энергию лазера и расширяются, либо подложки поглощают энергию и термически вибрируют.
 
В 1969 году С.М. Бедэйр и др. обнаружили, что традиционные методы обработки поверхности (термическая обработка, химическая коррозия, пескоструйная обработка) имеют свои ограничения. Они заметили, что высокая плотность энергии сфокусированных лазеров может испарять поверхностные материалы, не повреждая подложку. Эксперименты подтвердили, что рубиновый лазер с модуляцией добротности и плотностью мощности 30 МВт/см² может очищать загрязнения с кремниевых поверхностей без повреждения подложки, что стало первым примером применения лазерной сухой очистки.
 
Общую скорость очистки можно выразить через скорость отрыва частиц пленки, как показано ниже:
 
(Формула: ε — индекс энергии лазерного импульса; h — индекс толщины пленки загрязнений; E — индекс модуля упругости пленки)
 

2) Лазерная влажная очистка

 
Перед импульсным лазерным облучением на поверхность заготовки наносится жидкая пленка. Лазерная энергия быстро нагревает и испаряет пленку, генерируя мгновенную ударную волну, которая отрывает частицы загрязнений от подложки. Этот метод не требует химической реакции между подложкой и жидкой пленкой, что ограничивает круг применимых материалов.
 
В 1991 году К. Имен и др. исследовали остаточные субмикронные загрязнения на полупроводниковых пластинах и металлах после обычной очистки. Они покрыли подложки лазеропоглощающей пленкой и облучили ее CO₂-лазером. Пленка поглощала энергию, быстро нагревалась, закипала и подвергалась взрывному испарению, удаляя поверхностные загрязнения — это и есть лазерная влажная очистка.
 

3) Лазерная плазменная ударно-волновая очистка

 
Ударные волны лазерной плазмы образуются, когда лазеры ионизируют воздух, превращая его в сферические плазменные ударные волны во время облучения. Эти ударные волны воздействуют на подложки, высвобождая энергию для удаления загрязнений без повреждения подложки (лазеры не взаимодействуют с подложками напрямую). Эта технология очищает частицы размером до десятков нанометров и не накладывает ограничений на длину волны лазера.
 
Физические принципы плазменной очистки можно кратко описать следующим образом:

 

а) Лазерные лучи поглощаются слоем загрязнений на поверхности мишени.

 

б) Высокое поглощение энергии приводит к образованию быстро расширяющейся плазмы (сильно ионизированного нестабильного газа), генерирующей ударные волны.

 

c) Ударные волны разрушают и удаляют загрязняющие вещества.

 

d) Лазерные импульсы должны быть достаточно короткими, чтобы избежать накопления тепла, повреждающего подложку.

 

e) Эксперименты показывают, что при наличии оксидов на металлических поверхностях образуется плазма.

 
Генерация плазмы происходит только при превышении порогового значения плотности энергии, которое зависит от типа удаляемого загрязнения или оксидного слоя. Существует также второе, более высокое пороговое значение, превышение которого приводит к повреждению подложки. Для обеспечения эффективной очистки без повреждения подложки необходимо настроить параметры лазера таким образом, чтобы плотность энергии импульса оставалась в пределах двух пороговых значений.
 
В 2001 году Дж. М. Ли и др. использовали плазменные ударные волны от мощных сфокусированных лазеров. Импульсный лазер с плотностью энергии 2,0 Дж/см² (значительно превышающей порог повреждения кремния) облучал кремниевые пластины параллельно, успешно удаляя частицы вольфрама размером 1 мкм. Строго говоря, очистка с помощью лазерных плазменных ударных волн является разновидностью сухой очистки.
 
Первоначально разработанные для удаления микроскопических частиц с полупроводниковых пластин, эти три технологии лазерной очистки получили широкое применение в очистке пресс-форм для шин, удалении краски с обшивки самолетов, реставрации культурных реликвий и многом другом. Во время лазерного облучения на подложки можно подавать инертный газ, который мгновенно удаляет отделившиеся загрязнения, предотвращая повторное загрязнение и окисление.
 

Применение технологии лазерной очистки

 

1) Полупроводниковая промышленность: очистка полупроводниковых пластин и оптических подложек

 
Полупроводниковые пластины и оптические подложки проходят идентичные этапы обработки (резка, шлифовка) для придания им желаемой формы, что приводит к появлению твердых загрязнений, которые трудно удалить и которые подвержены повторному загрязнению. Загрязнения на пластинах ухудшают качество печати схем и сокращают срок службы чипов. На оптических подложках они ухудшают характеристики оптических устройств и покрытий, вызывая неравномерное распределение энергии и сокращение срока службы.
 
Лазерная сухая очистка здесь используется редко из-за риска повреждения подложки, в то время как влажная очистка и очистка плазменными ударными волнами имеют множество успешных применений. Сюй Чуаньи и др. нанесли микромасштабную магнитную краску в качестве диэлектрической пленки на сверхгладкие оптические подложки, достигнув эффективной импульсной лазерной очистки. Хотя общее количество частиц примесей увеличилось, их размер и покрытие значительно уменьшились. Чжан Пин изучил влияние рабочего расстояния и энергии лазера на эффективность очистки частиц различного размера. Эксперименты показали, что лазер мощностью 240 мДж обеспечивает оптимальную очистку частиц полистирола на проводящем стекле при рабочем расстоянии 1,90 мм. Эффективность очистки повышалась с увеличением энергии лазера, а более крупные частицы удалялись легче.
 

2) Металлургическая промышленность: Очистка металлических поверхностей

 
Очистка металлических поверхностей направлена ​​на удаление макроскопических загрязнений: оксидных/ржавых слоев, краски, покрытий и других примесей, которые подразделяются на органические (краска, покрытия) и неорганические (ржавчина) загрязнения. Очистка соответствует требованиям последующей обработки/использования: например, удаление оксидных слоев толщиной 10 мкм с титановых сплавов перед сваркой, удаление краски с обшивки самолетов для перекраски и очистка остатков резины с пресс-форм для шин для обеспечения качества продукции и срока службы пресс-форм.
 
Металлы обладают более высокими порогами повреждения, чем порогами очистки от загрязнений, что позволяет эффективно очищать их с помощью лазеров соответствующей мощности. К числу зрелых применений относятся: Ван Лихуа и др. продемонстрировали, что лазер с энергией 5,1 Дж/см² удалял оксидные слои с алюминиевого сплава A5083-111H, сохраняя при этом качество подложки, а импульсный лазер мощностью 100 Вт эффективно очищал оксидные слои титанового сплава и повышал твердость поверхности. Отечественные производители (Raycus Laser, Han's Laser, Shenzhen Chuangxin) широко поставляют оборудование для лазерной очистки резиновых форм, удаления ржавчины с металла и масла с деталей.
 

3) Сохранение культурных ценностей: очистка культурных ценностей и бумажных артефактов.

 
Культурные реликвии из металла и камня со временем загрязняются, покрываются чернильными пятнами и другими загрязнениями, которые необходимо удалять для восстановления первоначального вида. На бумажных артефактах (картинах, каллиграфических работах) при неправильном хранении образуется плесень и налет, что серьезно ухудшает их состояние и снижает культурную/историческую ценность.
 
Чжао Ин и др. подтвердили эффективность очистки рисовой бумаги от плесневых отложений с помощью УФ-лазера: однократное сканирование при 3,2 Дж/мм² удаляло тонкие отложения, а двукратное сканирование обеспечивало полное удаление; избыточная энергия лазера повреждала бумагу. Чжан Сяотун успешно восстановил позолоченный бронзовый артефакт с помощью лазерного влажного метода. Чжан Личэн применил лазерную очистку к расписной женской керамической фигурке эпохи династии Хань. Юань Сяодун и др. оценили эффективность лазерной очистки каменных реликвий, сравнивая повреждение основания и эффективность удаления пятен от чернил, дыма и краски на песчанике.
 

Заключение

 
Лазерная очистка — это передовая технология с широкими перспективами исследований и применения в аэрокосмической отрасли, военной технике, электронике и других высокоточных областях. Благодаря своей эффективности, экологичности и превосходным результатам очистки, она хорошо зарекомендовала себя во многих отраслях промышленности, и ее применение продолжает расширяться. Помимо традиционного удаления краски и ржавчины, в последнее время достигнуты успехи в лазерной очистке оксидных слоев на металлических проволоках. Будущее развитие зависит от расширения существующих областей применения, выхода на новые рынки и внедрения инновационных технологий в оборудовании.
 
  1. Необходимо усилить теоретические исследования для обоснования практических применений. Современные исследования в значительной степени опираются на эксперименты и не имеют зрелой теоретической основы. Создание такой основы имеет решающее значение для технологической зрелости.
  2. Расширить область применения в существующих и новых областях. Уже хорошо зарекомендовав себя в удалении краски/ржавчины, технология открывает новые перспективы, включая очистку оксидов металлической проволоки, что создает благодатную почву для дальнейшего развития.
  3. Разработка нового оборудования для лазерной очистки, ориентированного на создание универсальных многоцелевых устройств (например, для удаления краски и ржавчины) и специализированных инструментов (например, специальных приспособлений/волокон для работы в ограниченных пространствах). Перспективным направлением является полная автоматизация посредством интеграции с промышленными роботами.

Дата публикации: 14 мая 2026 г.